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唱旺高頻寬記憶體
2024/07/23 上一則 下一則
研調機構集邦科技(TrendForce)昨(22)日發布最新報告指出,受惠均價上揚,以及AI需求強勁帶動高頻寬記憶體(HBM)、四層單元(QLC)快閃記憶體崛起,今、明年全球記憶體產業營收將一路走揚,明年DRAM與儲存型快閃記憶體(NAND Flash)營收更將同步改寫新猷。

法人指出,即便台廠在HBM領域並未著墨,仍將受惠三星、SK海力士、美光等記憶體廠大舉將既有DRAM產能提撥生產HBM,引動的DDR4與DDR5等DRAM生產銳減帶來的正面效益,南亞科、威剛、十銓、宜鼎、群聯等台廠都將搭上這波熱潮。

集邦分析,驅動DRAM產業營收增長的主要動能,包括HBM崛起、一般型DRAM產品世代演進、原廠資本支出限縮供給和伺服器需求復甦。此外,DDR5和LPDDR5╱5X等高附加價值產品的滲透,同樣有助提高平均價格。

集邦估計,DDR5將分別貢獻2024年、2025年伺服器DRAM位元出貨量40%,以及60%至65%;LPDDR5╱5X則分別貢獻2024、2025年行動記憶體(mobile DRAM)位元出貨量50%、60%。
  
        
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